拓墣(pu)產業研(yan)究(jiu)院指出，相較目前主流(liu)的(de)(de)硅晶圓(Si)，第三代半(ban)導體材料SiC及GaN除(chu)了耐高電(dian)(dian)壓的(de)(de)特色外，也分(fen)別具備耐高溫與(yu)適(shi)合在高頻操(cao)作下的(de)(de)優勢(shi)，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能(neng)(neng)簡化周邊(bian)電(dian)(dian)路的(de)(de)設計，達(da)到減少模(mo)組、系統周邊(bian)的(de)(de)零組件(jian)及冷卻(que)系統的(de)(de)體積。除(chu)了輕化車(che)輛(liang)設計之(zhi)外，因第三代半(ban)導體的(de)(de)低(di)導通電(dian)(dian)阻及低(di)切換損失的(de)(de)特性，也能(neng)(neng)大幅降低(di)車(che)輛(liang)運轉時(shi)的(de)(de)能(neng)(neng)源(yuan)轉換損失，兩者對于(yu)電(dian)(dian)動(dong)車(che)續航力的(de)(de)提升有相當的(de)(de)幫助。因此(ci)，SiC及GaN功率組件(jian)的(de)(de)技(ji)術與(yu)市場發(fa)展，與(yu)電(dian)(dian)動(dong)車(che)的(de)(de)發(fa)展密不可分(fen)。

然(ran)而，SiC材料仍在驗證與(yu)導(dao)入階(jie)(jie)段(duan)(duan)，在現階(jie)(jie)段(duan)(duan)車(che)用(yong)(yong)領域僅應用(yong)(yong)于賽(sai)車(che)上(shang)(shang)(shang)，因此，全球現階(jie)(jie)段(duan)(duan)的(de)車(che)用(yong)(yong)功(gong)率組件，采用(yong)(yong)SiC的(de)解決方(fang)案的(de)面積不到千分之一。另一方(fang)面，目(mu)前市場上(shang)(shang)(shang)的(de)GaN功(gong)率組件則(ze)以GaN-on-SiC及GaN-on-Si兩種晶圓進(jin)行(xing)制造，其中(zhong)GaN-on-SiC在散(san)熱性能上(shang)(shang)(shang)具有優勢(shi)，相當適合應用(yong)(yong)在高溫、高頻的(de)操作(zuo)環境，因此以5G基站的(de)應用(yong)(yong)能見度較高，預期SiC基板未(wei)來(lai)五(wu)年(nian)在通過車(che)廠驗證與(yu)2020年(nian)5G商(shang)用(yong)(yong)的(de)帶動下，將進(jin)入高速成長期。

盡管(guan)GaN基(ji)板(ban)在面積大型化的(de)(de)過程中，成本居(ju)高(gao)不下，造成GaN基(ji)板(ban)的(de)(de)產(chan)值(zhi)目前仍(reng)小(xiao)于(yu)SiC基(ji)板(ban)。但GaN能在高(gao)頻操作(zuo)的(de)(de)優(you)勢，仍(reng)是(shi)各大科技廠(chang)矚目的(de)(de)焦點。除了高(gao)規(gui)格(ge)產(chan)品使(shi)用GaN-on-SiC的(de)(de)技術外(wai)，GaN-on-Si透過其成本優(you)勢，成為目前GaN功率組件的(de)(de)市場(chang)主(zhu)流，在車用、智能手機所需的(de)(de)電源(yuan)管(guan)理芯片(pian)及充電系統的(de)(de)應用具有成長性。

拓墣產(chan)業(ye)研究院(yuan)指(zhi)出，觀察供應(ying)鏈(lian)的(de)(de)發(fa)展，由(you)于5G及(ji)汽車科技正處于產(chan)業(ye)成長趨勢的(de)(de)，供應(ying)鏈(lian)已發(fa)展出晶(jing)圓代(dai)工模式，提供客戶(hu)SiC及(ji)GaN的(de)(de)代(dai)工業(ye)務服務，改(gai)變過去僅(jin)由(you)Cree、Infineon、Qorvo等整合組件(jian)大廠供應(ying)的(de)(de)狀況。GaN的(de)(de)部分，有(you)臺積電及(ji)世界先進(jin)提供GaN-on-Si的(de)(de)代(dai)工業(ye)務，穩懋則專(zhuan)攻(gong)GaN-on-SiC領域瞄準5G基站(zhan)的(de)(de)商機。另(ling)外，X-Fab、漢磊及(ji)環(huan)宇(yu)也提供SiC及(ji)GaN的(de)(de)代(dai)工業(ye)務。隨(sui)著(zhu)代(dai)工業(ye)務的(de)(de)帶(dai)動，第三代(dai)半(ban)導體材料的(de)(de)市場規模也將進(jin)一步擴大。